Hynix представила память HBM3 со скоростью 819 ГБ/с

Новости
|

SK Hynix, южнокорейская компания по производству микросхем, сообщила об успешном завершении разработки памяти HBM3. В этой области компании удалось опередить своих ближайших конкурентов, представив первые в мире многоуровневые микросхемы памяти с высокой пропускной способностью.

HBM3

HBM3 – это четвёртое поколение микросхем памяти семейства HBM, разработанных для повышения скорости обработки данных. В частности, HBM3 предлагает улучшенную полосу пропускания и более высокую ёмкость по сравнению с чипом HBM2.

HBM3 может обрабатывать до 819 ГБ данных в секунду, что на 78% больше, чем у HBM2E. Память HBM3 будет доступна в версиях на 24 и 16 ГБ.

В основном HBM3 будет использоваться высокопроизводительными центрами обработки данных, а также платформами машинного обучения. Когда новая память появиться в серийных продуктах – пока неизвестно.

Материалы по теме:

Утверждён стандарт видеопамяти HBM3 с пропускной способностью до 819 ГБ/с
Утверждён стандарт видеопамяти HBM3 с пропускной способностью до 819 ГБ/с
Intel представила процессоры семейства Intel Max Series с 64 ГБ памяти HBM2e
Intel представила процессоры семейства Intel Max Series с 64 ГБ памяти HBM2e
В Samsung Galaxy S5 доступно только 8,6 ГБ памяти
В Samsung Galaxy S5 доступно только 8,6 ГБ памяти