Qualcomm анонсирует Snapdragon 845 в начале декабря

Слухи
|

Qualcomm готовится к рассылке приглашений на мероприятие Snapdragon Technology Summit, которое будет проходить с 4 по 8 декабря на Гавайских островах. На саммите компания может представить свой новый топовый мобильный чипсет Snapdragon 845.

Snapdragon 636

Snapdragon 845 будет состоять из 8 вычислительных ядер – 4 Cortex-A75 и 4 Cortex-A53, выполненных по 10-нм техпроцессу, графического ядра Adreno 630, некого передового процессора обработки изображений, а также модема LTE X20, обеспечивающего скорости до 1,2 ГБит/с. Помимо этого, чип будет поддерживать ОЗУ LPDDR4X, флеш-память UFS 2.1, а также 802.11ас и WiGig 802.11ad.

Прирост производительности Snapdragon 845 в одноядерном режиме будет достигать 25 % относительно современного Snapdragon 835.

Первым смартфоном на базе Snapdragon 845 должен стать Samsung Galaxy S9, который будет анонсирован в I квартале 2018 года.

Материалы по теме:

Samsung Galaxy S9 первым получит чип Snapdragon 845
Samsung Galaxy S9 первым получит чип Snapdragon 845
Qualcomm Snapdragon S4 Play: игровые чипы для смартфонов
Qualcomm Snapdragon S4 Play: игровые чипы для смартфонов
LG LS980 с чипом Snapdragon 800 засветился у Sprint
LG LS980 с чипом Snapdragon 800 засветился у Sprint