Оперативная память DDR5 будет вдвое быстрее DDR4

Новости
|

Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC, который занимается установкой стандартов ОЗУ, сообщил на этой неделе о начавшейся разработке нового стандарта DDR5 и о ее быстром продвижении.

DDR5

Большинство экспертов считало, что историю стандарта DDR завершит DDR4, но в связи с незначительными изменениями в дизайне ПК и серверов за последние годы, производители все же решили продолжать развивать стандарт DDR.

ОЗУ стандарта DDR5 будет вдвое быстрее современного DDR4, а также значительно более энергоэффективной. Также DDR5 будет отличаться в 2 раза увеличенной плотностью относительно DDR4, исходя из чего модули памяти нового стандарта получат вдвое большую ёмкость.

Финальные технические характеристики DDR5 появятся в 2018 году, а серийное производство памяти нового стандарта начнется приблизительно в 2020 году.

Помимо этого, представители JEDEC сообщили о разработке спецификаций для нового стандарта гибридной постоянной памяти NVDIMM-P, которая совмещает энергонезависимую флэш-память и энергозависимую оперативную память в слоте DIMM. NVDIMM создан для использования в базах данных, в которых для обработки и кэширования необходимо сочетание флэш-памяти и DRAM.

Материалы по теме:

Galaxy S10 станет первым смартфоном с ОЗУ LPDDR5 и памятью UFS 3.0
Galaxy S10 станет первым смартфоном с ОЗУ LPDDR5 и памятью UFS 3.0
Apple перейдет на модули памяти LPDDR4
Apple перейдет на модули памяти LPDDR4
Память стандарта UFS 3.0 будет вдвое быстрее прошлого поколения
Память стандарта UFS 3.0 будет вдвое быстрее прошлого поколения