Samsung представила оперативную память на 512 ГБ

Новости
|

Компания Samsung, один из гигантов современной индустрии памяти, представила новую технологию памяти, которая позволит пользователям расположить 512 ГБ в одном модуле оперативной памяти DDR5.

Samsung Galaxy S21

Согласно общим данным, сделав технологию упаковки памяти Layer Stacking Memory Packing, используемую в памяти DDR4, более эффективной, Samsung значительно увеличит ёмкость новых модулей DDR5. Однако увеличив количество 4-х слоев оперативной памяти DDR4 до 8 в модулях DDR5, компании удалось сделать шаблоны на 40% тоньше.

Кроме того, был уменьшен интегрированный чипсет с 1,2 мм до 1,0 мм и уменьшено расстояние между слоями памяти. Samsung будет выпускать единый модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ с 8 взаимосвязанными слоями. Южнокорейский производитель заявляет, что новая технология DDR5 в два раза быстрее, чем предыдущее поколение, и будет предлагать скорости выше 6400 Мбит/с. Кроме того, новая технология более чем на 30% энергоэффективнее предыдущего поколения.

Samsung сообщила, что будет поставлять новый продукт в центры обработки данных, производителям смартфонов и ноутбуков. Пока неизвестно, когда появятся первые устройства с 512 ГБ ОЗУ.

Материалы по теме:

Новая технология Qualcomm Quick Charge позволит заряжать смартфоны гораздо быстрее
Новая технология Qualcomm Quick Charge позволит заряжать смартфоны гораздо быстрее
Новая технология Samsung улучшит качество камер будущих смартфонов
Новая технология Samsung улучшит качество камер будущих смартфонов
Samsung запустила производство оперативной памяти LPDDR5 на 16 ГБ
Samsung запустила производство оперативной памяти LPDDR5 на 16 ГБ