Мировой лидер в области передовых технологий памяти Samsung Electronics объявил о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флэш-памяти eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ для мобильных устройств следующего поколения.
В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, новая память Samsung обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущим хранилищем eUFS (eUFS 2.1). Это позволит поддерживать бесперебойную работу будущих смартфонов с экранами высокого разрешения. Как утверждает исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу Чол Чой, eUFS 3.0 обеспечит новому поколению мобильных устройств скорость чтения, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках.
Скорость последовательного чтения eUFS 3.0 составляет 2100 МБ/с, скорость последовательной записи – 410 МБ/с, максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 63 000 IOPS, а записи – 68 000 IOPS. Согласно заявлению производителя, скорость чтения нового решения для хранения данных в 20 раз выше, чем у обычной карты microSD, и в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA. Благодаря этому, пользователь сможет передать со смартфона фильм в Full HD на компьютер за 3 секунды.
В этом месяце Samsung выпустит новый чип eUFS на 512 ГБ, а также версию на 128 ГБ. Массовое производство моделей объемом 1 ТБ и 256 ГБ начнется во второй половине текущего года.
