Samsung разработала бюджетный модуль флеш-памяти на 128 ГБ

Новости
|

Южнокорейская компания Samsung объявила о выпуске нового чипа флэш-памяти объемом 128 ГБ. Модуль разработан на основе технологии Embedded MultiMediaCard 5.0, в каждой ячейке которого будет содержаться по три бита информации. Новая NAND-память будет предназначена для устройств среднего класса.

Samsung Memory

Функциональные возможности памяти позволят доставить информацию для последовательного чтения со скоростью 260 МБ/с. При произвольном чтении скорость достигнет 6000 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а в режиме чтения и записи скорость доставки информации равняется 5000 IOPS. Как заявляет Samsung, этого достаточно для выполнения сложных операций и обработки видео высокой четкости.

Компания также надеется, что с введением нового продукта, ей удастся «взять на себя инициативу в расширении мобильного хранилища». К сожалению, производитель не раскрыл даты старта продаж устройств с 128 ГБ. Вероятно, это произойдет в ближайшее время и Samsung окажется первой, кто сможет предложить такое впечатляющее количество встроенной памяти по доступной цене.

Материалы по теме:

Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD
SD Express: карта памяти со скоростью 985 МБ/с и объёмом до 128 ТБ
SD Express: карта памяти со скоростью 985 МБ/с и объёмом до 128 ТБ