Samsung анонсировала сверхбыструю память HBM2E для видеокарт и суперкомпьютеров

Новости
|

Компания Samsung Electronics выпустила высокоскоростную память третьего поколения HBM2E. Модуль получил название Flashbolt и предназначен для суперкомпьютеров, систем AI и устройств, связанных с обработкой графики.

Samsung HBM2E

По словам южнокорейского технического гиганта, память объемом 16 ГБ может похвастаться скоростью передачи данных 3,2 ГБит/с и пропускной способностью 410 ГБ/с на стек. Восемь 16-гигабайтных модулей класса 10 нм (1y) вместе с буферной микросхемой объединены в пакет HBM2E с использованием 40000 TSV (через кремниевые переходные отверстия), причём каждый модуль имеет более 5600 микронасосов.

Новейшие DRAM предложат не только вдвое большую ёмкость, чем 8-гигабайтный «Aquabolt» HBM2 второго поколения, но повысят производительность и энергоэффективность. Максимальная скорость при тестировании составила 4,2 ГБит/с или 538 ГБ/с на стек, что 1,75 раза быстрее, чем пропускная способность Aquabolt (307 ГБ/с).

Серийное производство HBM2E третьего поколения начнётся в первой половине этого года. Тем не менее производитель продолжит выпускать и HBM2 второго поколения.

Материалы по теме:

Samsung Galaxy TabPro S второго поколения будет работать на Intel Core i5 Kaby Lake
Samsung Galaxy TabPro S второго поколения будет работать на Intel Core i5 Kaby Lake
Samsung разработала бюджетный модуль флеш-памяти на 128 ГБ
Samsung разработала бюджетный модуль флеш-памяти на 128 ГБ
Samsung выпускает оперативную память LPDDR5 на 12 ГБит
Samsung выпускает оперативную память LPDDR5 на 12 ГБит