Samsung начала производство чипов памяти V-NAND пятого поколения

Новости
|

Samsung первой начала массовое изготовление пятого поколения чипов памяти V-NAND с интерфейсом Toggle DDR 4.0, предназначенных для мобильных устройств, серверов и даже суперкомпьютеров.

V-NAND

Скорость передачи данных и архитектура памяти

Максимальная скорость передачи данных памяти Samsung V-NAND 5-го поколения составляет 1,4 ГБит/с, что на 40% превосходит современные 64-слойные чипы памяти. Новые чипы памяти выполнены по 90-слойной архитектуре и имеют максимальную ёмкость 256 ГБ, при этом емкость каждой ячейки составляет 3 бита.

Энергопотребление, отклик и эффективность производства

В новых чипах было снижено энергопотребление, чего удалось достичь снижением напряжения с 1.8 В до 1.2 В, отклик при записи данных был ускорен на 30% до 500 мкс, а при чтении – до 50 мкс. Также Samsung удалось улучшить производственный процесс, что привело к повышению эффективности производства на 30%.

Материалы по теме:

Скорость карт памяти Samsung UFS впервые удалось протестировать
Скорость карт памяти Samsung UFS впервые удалось протестировать
Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD