Silicon Motion приблизит эру смартфонов с 512 ГБ флеш-памяти

Новости
|

Китайская компания Silicon Motion представила новое семейство контроллеров памяти UFS 2.1, поддерживающих технологии UFS HS-Gear3×1L и UFS HS-Gear3×2L, благодаря которым удалось добиться повышения производительности, энергоэффективности, а также увеличения объемов памяти.

Xiaomi Redmi 4X

Новые контроллеры памяти базируются на проприетарной архитектуре MIPI M-PHY, которая поддерживает LDPC ECC для 3D NAND. Представители Silicon Motion сообщили, что скорость контроллеров при чтении равна 50 000 операциям в секунду, при записи – 40 000 операциям. Примечательно, что UFS 2.1 позволяет работать с носителями рекордных объемов – до 512 ГБ.

Напомним, UFS 2.1 представляет собой стандарт мобильной памяти новейшего поколения с втрое увеличенной скоростью работы сравнительно с eMMC 5.1.

«Новые контроллеры UFC 2.1 расширяют наши лидерские позиции среди флагманских и премиум-моделей мобильных устройств, – заявил глава Silicon Motion Валлас Коу. Наше уникальное решение даст начало новому поколению энергоэффективной высокопроизводительной памяти, так как поддержка UFS появляется в большем количестве платформ.»

Директор исследования в области NAND-памяти, Вальтер Кун, сообщил, что в течении ближайших пяти лет UFS станет основным стандартом флеш-памяти и раскроет весь свой потенциал лишь на больших объемах памяти. Помимо этого представители компании заявили об использовании новых стандартов вместе с 4К- и VR-решениями.

Первые образцы нового стандарта контроллеров на UFS 2.1 будут распространены среди создателей NAND-памяти, массовое производство начнется позднее в 2017 году.

Материалы по теме:

Xiaomi продала 100 000 смартфонов M2A за 48 секунд
Xiaomi продала 100 000 смартфонов M2A за 48 секунд
Hewlett-Packard готовит смартфоны с памятью 100 000 ГБ
Hewlett-Packard готовит смартфоны с памятью 100 000 ГБ
Dell показала новый ноутбук Inspiron 15 7000
Dell показала новый ноутбук Inspiron 15 7000