SK hynix анонсировала 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 ГБит

Новости
|

Всего через несколько дней после того, как Micron объявила о своей 232-слойной технологии NAND, SK hynix на выставке Flash Memory Summit 2022 в Санта-Кларе анонсировала 238-слойную флэш-памяти NAND на основе 4D-стека.

SK hynix TLC 4D NAND

Первая в мире 238-слойная TLC 4D NAND представляет собой чип ёмкостью 512 ГБит. Стоит отметить, что новейшее 238-слойное решение является одновременно и самым многослойным, и самым компактным по площади. Из-за небольшого размера общая производительность производства увеличилась на 34% по сравнению со 176-слойной памятью NAND. Теперь можно производить больше чипов с большей плотностью на единицу площади.

По сравнению с предыдущим поколением, скорость передачи данных 238-слойного продукта увеличилась на 50% и достигла 2,4 ГБит/с. Энергия, потребляемая при чтении данных, уменьшилась на 21 %.

Производство 238-слойной флэш-памяти TLC 4D NAND 512 ГБит SK hynix будет запущено в первой половине 2023 года. Изначально продукт будет использоваться для клиентских твердотельных накопителей, которые применяются в качестве устройств хранения данных для ПК, а затем для смартфонов и твердотельных накопителей большой ёмкости для серверов.

Компания также планирует в следующем году представить 238-слойные чипы с удвоенной ёмкостью по сравнению с текущим продуктом на 512 ГБ – на 1 ТБ.

Материалы по теме:

40% проданных смартфонов в России выпущены китайскими брендами
40% проданных смартфонов в России выпущены китайскими брендами
Сравнение смартфонов Apple iPhone 5S и iPhone 6
Сравнение смартфонов Apple iPhone 5S и iPhone 6
Samsung представила SSD на базе флэш-памяти QLC NAND с объёмом 4 ТБ
Samsung представила SSD на базе флэш-памяти QLC NAND с объёмом 4 ТБ