SK hynix начинает производство DRAM с использованием EUV-литографии

Новости
|

Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала массовое производство мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 ГБ на основе технологии 1a-нм, которая является четвертым поколением 10-нм техпроцесса.

SK hynix начинает производство DRAM с использованием EUV-литографии

Новые чипы стабильно работают на скорости 4266 Мбит/с, что является самой высокой скоростью передачи в спецификации DRAM LPDDR4. Кроме того, энергопотребление этих чипов снижено на 20%, по сравнению с чипами предыдущего поколения 1z-нм.

Это первые массовые чипы SK hynix с использованием EUV-литографии. Компания планирует начать поставку новейших чипов DRAM производителям смартфонов уже со второй половины 2021 года.

SK hynix ожидает, что технология 1a-нм приведет к увеличению на 25% количества микросхем DRAM, производимых из пластины того же размера, что в свою очередь позволит снизить затраты на производство.

Материалы по теме:

Начато производство 7-нм чипов Apple A12 для iPhone 2018 года
Начато производство 7-нм чипов Apple A12 для iPhone 2018 года
Samsung планирует построить 12 заводов по производству чипов за 192 млрд долларов
Samsung планирует построить 12 заводов по производству чипов за 192 млрд долларов
Foxconn инвестирует $600 млн в заводы по производству смартфонов и чипов в Индии
Foxconn инвестирует $600 млн в заводы по производству смартфонов и чипов в Индии