SK Hynix разрабатывает память HBM2E со скоростью до 460 ГБ/с

Новости
|

Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт HBM2.

SK Hynix HBM2E

SK Hynix HBM2E поддерживает пропускную способность до 460,8 ГБ/с – скорость достигает 3,6 ГБит/с на каждую из 1024 линий входов/выходов данных. Благодаря использованию технологии TSV (Through Silicon Via), максимум восемь 16-гигабитных чипов вертикально уложены друг в друга, образуя единый пакет ёмкостью 16 ГБ.

В отличие от традиционных продуктов DRAM, микросхемы памяти с высокой пропускной способностью тесно связаны с процессорами, такими как графические чипы и логические микросхемы, что обеспечивает более быструю передачу данных.

HBM2E станет оптимальным решением памяти для суперкомпьютеров, платформ искусственного интеллекта и высокопроизводительных графических процессоров. Например, GPU c четырьмя стеками HBM2E сможет похвастаться 64-гигабайтным буфером с пропускной способностью в 1840 ГБ/с.

Свою первую в мире HBM компания SK Hynix выпустила в 2013 году. Массовое производство SK Hynix HBM2E стартует уже в следующем году.

Материалы по теме:

Половину проданных ПК в 2014 году составят планшеты
Половину проданных ПК в 2014 году составят планшеты
Смартфон с разрешением 2560х1600 появится в 2014 году
Смартфон с разрешением 2560х1600 появится в 2014 году
Учёные создали сверхкомпактную и быструю память для гибких устройств
Учёные создали сверхкомпактную и быструю память для гибких устройств