Intel готова к массовому производству энергонезависимой памяти MRAM

Новости
|

Согласно отчету издания EETimes, компания Intel готова начать массовое производство магниторезистивной оперативной памяти SST-MRAM. Благодаря высокой стойкости и высокой прочности, STT-MRAM может стать будущей универсальной альтернативой традиционным DRAM и NAND.

Intel MRAM

MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) – это технология энергонезависимой памяти, которая сохраняет информацию даже в случае изменения состояния питания (например, при потери мощности). Таким образом, она больше похожа на устройство хранения данных, чем, скажем, на DRAM.

MRAM предлагает более высокую скорость записи и чтения, чем DRAM, практически безграничную выносливость, а также возможность хранить данные в течение многих лет при высоких температурах. Также MRAM в 1000 раз превосходит скорость NAND, а время отклика нового типа памяти составляет 1 нс. По словам инженера Intel, встроенные ячейки MRAM имеют 10-летний период хранения информации при температуре 200°C и могут выдерживать более миллиона циклов переключения.

Intel MRAMIntel MRAMIntel MRAM

Ещё одним преимуществом MRAM являются крайне низкие показатели брака. При использовании 22-нм техпроцесса уровень выхода годных чипов MRAM превышает 99,9%, что обеспечивается простой конструкцией MRAM.

Материалы по теме:

Intel анонсировала свой первый 5G-модем со скоростью до 6 ГБит/с
Intel анонсировала свой первый 5G-модем со скоростью до 6 ГБит/с
Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung начала выпуск скоростной памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD
Samsung представила карты памяти UFS со скоростью, как у SSD