Samsung расширила линейку памяти DRAM, представив модуль DDR5 объемом 512 ГБ, основанный на техпроцессе High-k Metal Gate (HKMG). Новый модуль памяти разработан для удовлетворения требований ресурсоёмких рабочих нагрузок с высокой пропускной способностью в области суперкомпьютеров, искусственного интеллекта (AI) и машинного обучения (ML).
Как утверждает производитель, DDR5 способна обеспечить более чем вдвое большую производительность по сравнению с существующими модулями DDR4. Скорость передачи данных новой памяти достигает до 7200 Мбит/с.
Вместо традиционного оксинитрида кремния, для изоляционного слоя нового модуля памяти, Samsung использовала технологию HKMG, что позволило снизить энергопотребление на 13%, по сравнению с модулями DDR4. Технология HKMG впервые стала использоваться при разработке памяти GDDR6 в 2018 году. Samsung DDR5 включает в себя восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ с использованием технологии сквозного перехода через кремний (TSV) для обеспечения максимальной ёмкости 512 ГБ.
Существующие настольные компьютеры и серверы в основном поддерживают DDR4, тем не менее компания Intel уже проявила интерес к модулям DDR5, и планирует их использовать в своих будущих процессорах Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids.
В настоящее время Samsung DDR5 находится на стадии тестирования. В продаже новые модули появятся к концу нынешнего года.
