SK Hynix

Новости
|
SK hynix начинает производство DRAM с использованием EUV-литографии

Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала массовое производство мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 ГБ на основе технологии 1a-нм, которая является четвертым поколением 10-нм техпроцесса. Новые чипы стабильно работают на скорости 4266 Мбит/с, что является…

Читать далее »

Новости
|
SK Hynix начала выпуск модулей на 18 ГБ ОЗУ LPDDR5 для смартфонов

Южнокорейская компания по производству полупроводниковой памяти SK Hynix объявила о начале серийного производства новаторского модуля LPDDR5 DRAM ёмкостью 18 ГБ. Новые чипы памяти предназначены для смартфонов премиум-класса. Новые модули памяти отличаются не только рекордным…

Читать далее »

Новости
|
SK Hynix разрабатывает память HBM2E со скоростью до 460 ГБ/с

Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт HBM2. SK Hynix HBM2E поддерживает пропускную способность до 460,8 ГБ/с –…

Читать далее »